Der Standort Villach erhält eine neue Fertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter. Infineon setzt dabei auf 300-Millimeter-Wafer für hohe Stückzahlen. Das Vorhaben soll weltweit erstmals GaN-Chips in Hochvolumen produzieren. Die Investitionssumme beträgt bis 2034 etwa 1,1 Milliarden Euro. Vorhandene Reinräume werden für die zusätzlichen Produktionsschritte technisch angepasst. Für Ende 2027 ist die Aufnahme der Fertigung vorgesehen. Die Kapazitäten wachsen nur im Umfang der nachweisbaren Marktnachfrage.
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Neue GaN-Fertigung stärkt Villachs Rolle im globalen Halbleitermarkt
Mit der 300-Millimeter-Technologie schafft Infineon in Villach zusätzliche Voraussetzungen für GaN-Serienproduktion. Große Wafer bieten eine geeignete Basis für hohe Durchsätze. Dadurch kann die Herstellung von Leistungshalbleitern auf industrielle Mengen ausgeweitet werden. Die Technologie unterstützt effiziente Prozesse entlang der gesamten Fertigungskette. Sie bildet zugleich den Ausgangspunkt für neue Halbleitergenerationen mit GaN. Villach vereint dafür Produktionsinfrastruktur, Prozessentwicklung und langjährige Leistungshalbleitererfahrung. Der Standort baut seine globale Funktion als Kompetenzzentrum weiter aus.
Bestehende Infrastruktur senkt Investitionsaufwand für Villachs neue GaN-Fertigung deutlich
Für die neue Produktionslinie werden bestehende Reinräume gezielt weiterentwickelt. Infineon modernisiert technische Systeme und schafft passende Prozessbedingungen vor Ort. Die Nutzung vorhandener Gebäudeteile vermeidet umfangreiche Arbeiten für Neubauten. Damit verkürzen sich Planungswege und bauliche Abhängigkeiten im Projekt erheblich. Vorhandene Strukturen erlauben einen modularen Ausbau der Fertigungskapazität in Villach. Neue Produktionsschritte lassen sich bei Bedarf in diese Umgebung integrieren. Der Hochlauf folgt somit der Nachfrage und reduziert wirtschaftliche Risiken.
GaN-Technologie erhöht Effizienz in Energieinfrastruktur und Konsumentenelektronik nachhaltig spürbar
Galliumnitrid-Komponenten ermöglichen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften vereinfachen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung versorgt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Marktbedarf bestimmt Hochlauf der GaN-Produktion am Standort Villach künftig
Infineon sieht vor, gegen Ende 2027 die GaN-Produktion in Villach zu starten. Über den Zeitraum bis 2034 sind Investitionen von etwa 1,1 Milliarden Euro eingeplant. Der Ausbau der Fertigung erfolgt nicht unabhängig vom Markt, sondern wird fortlaufend mit der Nachfrage nach Leistungshalbleitern abgeglichen. Damit bleibt das Unternehmen in der Lage, Produktionskapazitäten abgestuft bereitzustellen und die Auslastung der Anlagen an tatsächliche Abrufmengen anzupassen. Dies unterstützt einen kontrollierten und wirtschaftlichen Hochlauf.
Chips-Act-Mittel sichern Ausbau der Halbleiterfertigung in Europa langfristig weiter
Die im Europäischen Chips Act vorgesehene Förderung von 319 Millionen Euro unterstützt den Aufbau einer neuen Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter in Österreich. Damit wird eine Produktionskapazität geschaffen, die europäische Kunden mit modernen Bauelementen versorgen kann. Der Förderbeitrag stärkt insbesondere die technologische Eigenständigkeit Europas in einem für Energieeffizienz und Digitalisierung wichtigen Marktsegment. Zudem verbessert das Projekt die regionale Wertschöpfung, erweitert das industrielle Know-how und verringert die Anfälligkeit gegenüber globalen Lieferunterbrechungen bei Halbleitern.
Die Villacher Anlage verbindet vorhandene Produktionsbereiche mit fortschrittlicher Wafertechnologie direkt. Sie schafft Voraussetzungen für große Mengen moderner Galliumnitrid-Bauelemente künftig europaweit. Der Ausbau erfolgt bedarfsgerecht und vermeidet ungenutzte Fertigungsreserven im Voraus. Damit bleibt die Investition wirtschaftlich und marktgerecht steuerbar für Infineon. Leistungshalbleiter unterstützen kompakte effiziente Stromversorgungen in zahlreichen Endgeräten weltweit zunehmend. Besonders profitieren Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf und strengen Effizienzanforderungen künftig. Die europäische Unterstützung mindert zudem Risiken einseitiger internationaler Beschaffung erheblich.
